Sputteranlagen in verschiedensten Konfigurationen

1. Aufbau:
   • Eine typische Sputteranlage besteht aus einer Vakuumkammer, in der sich das Substrat und das Target befinden. Die Vakuumkammer ist mit einer Hochvakuum-Pumpe ausgestattet, um den Druck in der Kammer zu reduzieren und ein Vakuum zu erzeugen, das für den Sputterprozess erforderlich ist.
   • Im Inneren der Vakuumkammer befindet sich eine Anode, an der das Targetmaterial angebracht ist, sowie eine Kathode, die als Substrathalterung dient.
   • Eine Hochspannungsquelle wird verwendet, um ein Plasma zu erzeugen, das die Ionenbeschleunigung und den Sputterprozess ermöglicht.
2. Sputterprozess:
   • Beim Sputterprozess wird das Targetmaterial durch Ionenbeschuss mit hoher Energie aus dem Target herausgelöst. Diese Ionen werden durch eine elektrische Feldkraft beschleunigt und treffen auf das Targetmaterial, wodurch Atome oder Moleküle herausgeschlagen werden.
   • Die herausgelösten Materialien werden in Richtung des Substrats bewegt und bilden eine dünne Schicht auf dessen Oberfläche.
3. Materialien und Anwendungen:
   • Sputteranlagen können verwendet werden, um eine Vielzahl von Materialien abzuscheiden, darunter Metalle, Halbleiter, Oxide und organische Materialien.
   • Die abgeschiedenen Schichten können in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, wie z.B. in der Mikroelektronik für die Herstellung von Transistoren und integrierten Schaltkreisen, in der Solarindustrie für die Herstellung von Photovoltaikzellen, in der Optik für die Beschichtung von Gläsern und Linsen, sowie in der Sensorik und Oberflächenbeschichtung.
4. Arten von Sputterverfahren:
   • Es gibt verschiedene Arten von Sputterverfahren, darunter Gleichstromsputtern (DC-Sputtern), Wechselstromsputtern (RF-Sputtern), Magnetron-Sputtern und Impuls-Magnetron-Sputtern. Jede dieser Methoden bietet spezifische Vorteile hinsichtlich der Steuerbarkeit, der Schichteigenschaften und der Schichtdickenhomogenität.

Mit einzelnen Rundkathoden

Batchanlagen mit Rechteckkathoden

Durchlaufanlagen