Internationale Firmen- und Produktsuchmaschine

Veraschung von Fotolack

Veraschung von Fotolack

Aurion Anlagentechnik GmbH

63500-D Seligenstadt
        14 Am Sandborn

+49 6182 96280

+49 6182 962816

Zur Produktseite des Anbieters

Veraschung von Fotolack


Anfrage an Anbieter senden


Beschreibung

Veraschung von Fotolack (Photoresist Ashing)

Was ist die Veraschung von Fotolack?

Die Veraschung von Fotolack (Photoresist Ashing) ist ein trockenes Reinigungsverfahren, bei dem organisches Material (Fotolack, Resist) von einer Oberfläche entfernt wird. Dieses Verfahren wird häufig in der Halbleiterfertigung, Mikrosystemtechnik (MEMS) und Sensorfertigung eingesetzt.

Ziel der Veraschung

  • Entfernung von Fotolackrückständen nach Lithographie- oder Ätzprozessen
  • Reinigung von Wafern oder Substraten vor weiteren Bearbeitungsschritten
  • Rückstandsfreies Entfernen von organischen Schichten ohne Beschädigung des Substrats

Methoden der Fotolack-Veraschung

1. Plasma-Veraschung (O₂-Plasma, RF oder MW-Plasma)

Hierbei wird Sauerstoffplasma (O₂) genutzt, um organischen Fotolack durch Radikalreaktionen in CO₂, CO und H₂O zu zerlegen.
📌 Anwendungsbereiche:
  • Halbleiterfertigung (CMOS, MEMS)
  • Maskenreinigung
  • Oberflächenvorbereitung für Dünnschichtprozesse
🔹 Prozessparameter:
  • Druck: 0,1 – 10 mbar
  • Temperatur: 100 – 300 °C
  • Frequenz: RF (13,56 MHz) oder Mikrowelle (2,45 GHz)
  • Gase: O₂, O₂/N₂, O₂/CF₄ für selektive Prozesse
Vorteile:
✔ Schonende Entfernung ohne mechanische Belastung
✔ Kein chemischer Abfall
✔ Kompatibel mit empfindlichen Materialien

2. Thermische Veraschung (Bsp.: Hochtemperatur-Öfen)

Hierbei wird der Fotolack durch Oxidation bei hohen Temperaturen (600–900 °C) in O₂ oder Luft verbrannt.
📌 Anwendungsbereiche:
  • Herstellung von SiC-Bauteilen
  • Hochtemperatur-tolerante Prozesse
Vorteile:
✔ Einfache Prozessführung
✔ Hohe Durchsatzrate ⚠ Nachteile:
❌ Nur für hitzebeständige Materialien geeignet
❌ Nicht für empfindliche Strukturen

3. Chemische "Nass-Veraschung" (Piranha-Ätzung, Ozonbehandlung)

  • Piranha-Ätzung: Mischung aus H₂SO₄ + H₂O₂ löst organische Rückstände extrem schnell auf
  • Ozonbehandlung: UV-Ozon entfernt Fotolack durch Oxidation mit O₃
Vorteile:
✔ Rückstandsfreie Entfernung
✔ Gut für Glas, SiO₂, Metalle ⚠ Nachteile:
❌ Aggressive Chemikalien erforderlich
❌ Sicherheitsrisiken durch starke Oxidationsmittel

Fazit

Die Plasma-Veraschung (O₂-Plasma) ist der bevorzugte Ansatz in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie, da sie schonend, umweltfreundlich und rückstandsfrei ist. Für Hochtemperatur-Prozesse ist die thermische Veraschung geeignet, während für spezielle Anwendungen chemische Methoden eingesetzt werden.
Produktparameter

RIE-Prozeß

Bilder

Veraschung von Fotolack

Bewertungen/Referenzen
Schreiben Sie erste Produkt-Bewertung
0

©  Itsbetter