Plasmaoberflächentechnik sowohl zur Reinigung und Modifikation als auch für Beschichtungs- und Ätzprozesse (PVD, PECVD, RIE, Mikrowelle).

Hierfür werden verschiedene Methoden der Generierung von Plasmen verwendet. Die gebräuchlichsten sind das Anlegen von hochfrequenten Wechselspannungen (40 kHz bzw. 13,56 MHz) sowie die Anregung mit Mikrowellen. Typische Gasgemische enthalten Sauerstoff, Argon und manchmal Wasserstoff und Tetrafluorkohlenstoff (CF4). Das Gemisch hängt von den speziellen Anforderungen an den Reinigungsprozess ab, welche sich aus Art der Verunreinigung und dem behandelten Werkstoff ergeben. Es gibt bezüglich des zu reinigenden Materials kaum Beschränkungen. So können temperaturempfindliche Kunststoffe ebenso behandelt werden wie Metall, Glas und Keramik. Das Plasmasystem muss aber auf jeden Fall der jeweiligen Aufgabe angepasst werden. Abhängig vom Gasgemisch wirkt das Plasma oxidierend oder reduzierend. Oxidierende Plasmen sind beim Entfernen organischer Verunreinigungen (Öle, Fette) von Vorteil, während reduzierende Plasmen eher für anorganische Ablagerungen (wie zum Beispiel Metalloxide) geeignet sind. Fast jede Oberfläche wird während verschiedener Arbeitsgänge verschmutzt. Für weitere Behandlungsschritte, wie zum Beispiel Lackierung, Härtung oder Versiegelung, müssen die Werkstücke gereinigt werden. Plasmareinigung ist der beste Weg um absolut saubere, fettfreie Oberflächen zu erhalten. Klassische Reinigungsmethoden sind oft naßchemisch und enthalten Kohlenwasserstoffe (KW), Chlorkohlenwasserstoffe (CKW) oder in Wasser gelöste scharfe Reiniger. Alle diese Mittel stellen sowohl während des Gebrauches als auch bei der Entsorgung Umweltprobleme dar. Abfallreduzierung wird mit sogenannten End-of-pipe Lösungen betrieben, welche zusätzliche Kosten verursachen. Im Gegensatz zur Nasschemie erfüllt die Plasmareinigung die Bedingungen für integrierten Umweltschutz.

Ätzen mit Atmosphärendruckplasma

Hoher Entfettungsgrad

Hohe Spaltgängigkeit