PECVD-System für Trommeln

PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 300 °C • Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden • Trommelförmige Substrate mit Durchmesser von 80 bis 240 mm, Länge bis 500 mm; plattenförmige Substrate bis 50 mm x 500 mm • Plasmachemisches Ätzen • F&E und Fertigung Aufbau • Load Lock - und Prozesskammer mit Heizer und Substrattransportsystem • Koaxiales HF-Elektrodensystem mit Gasdusche und Linearabsaugung • Zwischenrezipientenprinzip • Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem • Gestell • Anlagensteuerung Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Hochrate-Deposition mittels Magnetfeldstützung • Substratelektrode rotierend • HF-Bias des Substrates • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 27,36 MHz und hohe Leistungsdichten • Plasmaconfinement • Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Aluminium • Fenster für optische Prozessüberwachung

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