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VHF-PECVD-Modul für Batchbearbeitung

Plasmatechnik von FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden

FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden

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VHF-PECVD-Modul für Batchbearbeitung VPM 360


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Beschreibung
Anwendung • PECVD von SiOx, SiOxNy, SiNx, a-C:H und SiC auf Chargen von Wafer oder Platten • He-Rückseitenkopplung • Plasmachemische Reaktorreinigung und plasmachemisches Ätzen Aufbau und Lieferumfang • Universelles System mit modularem Aufbau für die Fertigung • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung • Substratelektrode mit Heizung und Liftsystem, geerdet oder Substratelektrode mit Kühlung, He-Rückseitenkopplung , Liftsystem, mit HF-Bias • Gasversorgungssystem • Vakuumkammer optional Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in ein Load Lock-System mit Lineartransportsystem, Face up- Prozess- mode • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe Leistungsdichten • Heliumrückseitenkopplung für temperatursensitive Prozesse • Plasmaconfinement • Elektrodenabstand einstellbar zur Prozessanpassung • Elektrodenmaterial: Al-Legierung
Produktparameter

He-Rückseitenkopplung

Integrierbar in ein Load Lock-System mit Lineartransportsystem, Face up- Prozess- mode

Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe Leistungsdichten

Heliumrückseitenkopplung für temperatursensitive Prozesse

Bilder

VHF-PECVD-Modul für Batchbearbeitung


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