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Siliziumnitrid für Dünnschichtkapselung

Der FAP-Prozess wurde für Parallel-Platten-Reaktoren mit einer Anregungsfrequenz im unteren VHF-Bereich entwickelt. Wichtige Schichteigenschaften sind innere mechanische Spannungen, Barrierewirkung gegen Wasser und Sauerstoff, Wasserstoffgehalt und Brechungsindex. Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel. Anwendung • Dünnschichtkapselung für elektronische Bauelemente wie IC und Temperatursensoren Ausrüstung • Parallel-Platten-Reaktor VPM 360 Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht Prozess • Umsetzung von Monosilan und Ammoniak mit Zusatz anderer Gase • Anregungsfrequenz 13,56, 27,12 oder 40,68 • Optional: Doppelfrequenzanregung 400 kHz/ 13,56 oder 40,68 MHz • Substrattemperatur 280 - 380 °C • Substratelektrode geerdet • In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2


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