VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD

Anwendung • PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 600 °C auf Wafer oder Carrier mit Durchmesser bis 150 mm • Thermisch aktivierte PECVD Aufbau • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung • Gasversorgungssystem (optional) Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in Vakuumkammer mit Substratelektrode, Face up- Prozess- mode • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe Leistungsdichten • Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung • Definierte Entladungsraumbegrenzun

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