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VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD

Plasmatechnik von FAP Plasmatechnik GmbH

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VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD VPE 150 HT von FAP Plasmatechnik GmbH


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Beschreibung
Anwendung • PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 600 °C auf Wafer oder Carrier mit Durchmesser bis 150 mm • Thermisch aktivierte PECVD Aufbau • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung • Gasversorgungssystem (optional) Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in Vakuumkammer mit Substratelektrode, Face up- Prozess- mode • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe Leistungsdichten • Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung • Definierte Entladungsraumbegrenzun
Produktparameter

Elektrodendurchmesser > bis Ø 150 mm

Leistungsversorgung > 13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz,

Substratelektroden- Oberflächentemperatur > bis 600 °C

Bilder

VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD


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