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Amorphes Silizium für digitale Bildsensoren

Plasmatechnik von FAP

FAP Plasmatechnik GmbH

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Amorphes Silizium (a-Si:H) für digitale Bildsensoren


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Beschreibung
Charakteristika des PECVD- Prozesses Das hydrogenisierte amorphe Silizium wird bei Temperaturen von 190 bis 210 °C abgeschieden. Der FAP-Prozess wurde für einen gasgedichteten Reaktor und hohe Depositionsraten mit einer Anregungsfrequenz im unteren VHF-Bereich entwickelt. Die VHF-Anregung ermöglicht im Vergleich zur üblichen 13,56 MHz-Anregung eine Reduzierung der Teilchenenergie und damit des Substratbeschusses sowie eine Erhöhung der Plasmadichte. Auf diese Weise lassen sich a-Si:H-Schichten mit guten photoelektrischen Eigenschaften bei hohen Depositionsraten abscheiden. Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel. Anwendung • Deposition auf Wafer mit ASICS, Durchmesser 150 oder 200 mm Ausrüstung • Parallel-Platten- Reaktor VPM 200 Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht Prozess: • Umsetzung von Monosilan in Wasserstoff • Dotierung mit Diboran oder Phosphin • Anregungsfrequenzen 40,68 MHz • Substrattemperatur 190 - 210 °C • Abscheideraten bis 0,6 nm/s • In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2
Produktparameter

Defektdichte (CPM) > < 5 · 1016 cm-3

Urbachenergie (CPM) > < 55 meV

Fotoleitung (AM 1,5) > > 5 · 10-5 S/cm

Bilder

Amorphes Silizium für digitale Bildsensoren

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