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VHF-Linear-Hochtemperatur-PECVD-Modul

Plasmatechnik von FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden

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VHF-Linear-Hochtemperatur-PECVD-Modul VPEC 750 HT


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Beschreibung
Anwendung • Hochrate-PECVD von Silizium- Legierungen bei Temperaturen bis 500 °C bei kontinuierlicher Substratbewegung • Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden • Plasmachemisches Hochrate-Ätzen von Silizium-Legierungen • Substratbreite bis 0,8 • Fertigungseinrichtungen Aufbau und Lieferumfang • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung • Carrie • Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem, Substrat-Heizstation (optional) Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in Vakuumkammer, Substrathalterung face up, face down oder vertikal • Geringe Verunreinigung der Reaktionsgase im Reaktor und der Vakuumkammer • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe Leistungsdichten • Reaktionsraumbegrenzung mittels Zwischenrezipient • Elektrodenausführung in Al • Plasmachemische Reaktorreinigung
Produktparameter

Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden

Plasmachemisches Hochrate-Ätzen von Silizium-Legierungen

Substratbreite bis 0,8

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VHF-Linear-Hochtemperatur-PECVD-Modul

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