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VHF-PECVD-Reaktor mit Gasdichtung

• PECVD von a-Si:H und Siliziumverbindungen mit hohen Reinheitsanforderungen • Für Wafer oder Carrier mit Durchmesser von 6" und 8" • Zur Fertigung komplexer Dünnschichtstrukturen, beispielsweise für digitale Bildsensoren Aufbau und Lieferumfang • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung • Substratelektrode mit Heizung und Liftsystem • Plasmaconfinement • Zwischenrezipient mit Spülgasdichtung • Gasversorgungssystem • Vakuumkammer und Pumpsystem optional Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in Clustertool oder Load Lock-System mit Zentralhandler bzw. Lineartransportsystem, Face up- Prozessierung • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe Leistungsdichten • Substratelektrode geerdet • Ausführung in Al mit plasmachemischer Reaktorreinigung oder Edelstahl


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