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Ätz-Modul für Platten

Anwendung • VHF-PECVD von Silizium-Legierungen   bei Temperaturen bis 300 °C • Gasphasendotierung mit   Dotantenhydriden • Plasmachemisches Ätzen • Substratabmessungen bis   100 mm x 100 mm • F&E Aufbau • Prozesskammer zum Anschluss an   Tranfer-Kammer • VHF-Elektrode mit Gasdusche und Substratelektrode mit Heizer • Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem • Gestell • Anlagensteuerung Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Parallel-Platten-System für Bearbeitung im face down mode • Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen   Elektrodenabstandseinstelllung, elektrisch geerdet • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe   Leistungsdichten • Plasmaconfinement • Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Aluminium • Fenster für optische Prozessüberwachung


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