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Ätz-Modul für Platten VPEM 100

PECVD-Anlagen von FAP

FAP Plasmatechnik GmbH

01217-D Dresden
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VHF-PECVD/Ätz-Modul für Platten VPEM 100


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Beschreibung
Anwendung • VHF-PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 300 °C • Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden • Plasmachemisches Ätzen • Substratabmessungen bis 100 mm x 100 mm • F&E Aufbau • Prozesskammer zum Anschluss an Tranfer-Kammer • VHF-Elektrode mit Gasdusche und Substratelektrode mit Heizer • Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem • Gestell • Anlagensteuerung Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Parallel-Platten-System für Bearbeitung im face down mode • Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen Elektrodenabstandseinstelllung, elektrisch geerdet • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe Leistungsdichten • Plasmaconfinement • Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Aluminium • Fenster für optische Prozessüberwachung
Produktparameter

Parallel-Platten-System

Anregungsfrequenzen bis 80 MHz

Plasmaconfinement

Bilder

Ätz-Modul für Platten VPEM 100


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