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Ätzen von Halbleiterbauelementen mit Plasma

Ätzen von Halbleiterbauelementen mit Plasma von Aurion Anlagentechnik GmbH

Aurion Anlagentechnik GmbH

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Ätzen von Halbleiterbauelementen mit Plasma


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Beschreibung
Das Ätzen von Halbleiterbauelementen mit Plasma ist ein wichtiger Prozess in der Halbleiterfertigung, der verwendet wird, um präzise Strukturen und Muster auf Halbleitermaterialien zu erzeugen. Plasmaätzverfahren bieten eine hohe Genauigkeit, eine gute Selektivität und eine hohe Ätzrate, was sie zu einem Schlüsselverfahren für die Herstellung von Halbleiterbauelementen macht. Hier sind einige wichtige Aspekte des Ätzens von Halbleiterbauelementen mit Plasma:
  1. Prinzip des Plasmaätzens:
    • Beim Plasmaätzen werden Halbleiterbauelemente in einer Vakuumkammer platziert, in der ein Plasma erzeugt wird.
    • Das Plasma enthält ionisierte Gase, die durch Anregung mit Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie erzeugt werden. Diese ionisierten Gase reagieren mit der Oberfläche des Halbleitermaterials und lösen es auf, wodurch es geätzt wird.
    • Das Ätzen kann entweder isotrop sein, bei dem Material gleichmäßig von allen Seiten entfernt wird, oder anisotrop, bei dem Material in bestimmten Richtungen selektiv entfernt wird, um präzise Strukturen zu erzeugen.
  2. Selektivität und Präzision:
    • Plasmaätzverfahren bieten eine hohe Selektivität, dh sie können das zu ätzende Material selektiv von anderen Materialien entfernen, ohne die umgebenden Schichten zu beschädigen.
    • Sie ermöglichen auch eine hohe Präzision bei der Strukturierung von Halbleiterbauelementen, einschließlich der Erzeugung von Gräben, Löchern, Leiterbahnen und anderen Mustern mit submikrometergenauen Abmessungen.
  3. Anwendungen:
    • Plasmaätzverfahren werden in der Halbleiterfertigung für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter die Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs), Transistoren, MEMS (Microelectromechanical Systems), Sensoren, optoelektronischen Bauelementen und anderen Halbleiterbauelementen.
    • Sie spielen eine entscheidende Rolle bei der Strukturierung und Modifikation von Halbleitermaterialien, um die gewünschten elektrischen, mechanischen und optischen Eigenschaften zu erzielen.
  4. Prozessparameter und Kontrolle:
    • Die Parameter des Plasmaätzprozesses, einschließlich Gaszusammensetzung, Gasflussrate, Entladungsleistung, Druck in der Kammer und Temperatur, müssen sorgfältig gesteuert werden, um die gewünschten Ätzcharakteristika und -eigenschaften zu erreichen.
    • Fortgeschrittene Steuerungs- und Überwachungssysteme werden verwendet, um die Prozessstabilität, Reproduzierbarkeit und Qualität der abgeschlossenen Halbleiterbauelemente sicherzustellen.
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