PECVD-Modul für Wafer

Anwendung • PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 450 °C, optional bis 650 °C • Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden • Substratdurchmesser bis 200 mm • F&E und Fertigung Aufbau • Prozesskammer zum Anschluss an Tranfer-Kammer • VHF-Elektrode mit Gasdusche und Substratelektrode mit Heizer • Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem • Gestell • Anlagensteuerung • Option: Mikrowellenquelle zur Plasmaerzeugung Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Parallel-Platten-System • Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen Elektrodenabstandseinstelllung • HF-Bias für Substratelektrode • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe Leistungsdichten • Plasmaconfinement • Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Edelstahl • Blende zur Substratschirmung während der Zündung der Entladung • Fenster für optische Prozessüberwachung

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