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HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung

Anwendung • Hochrate-PECVD von Silizium-   Legierungen bei Temperaturen   bis 250 °C bei kontinuierlicher   Substratbewegung • Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden • Plasmapolymerisation • Plasmachemisches Hochrate-Ätzen von Silizium-Legierungen • Substratbreite bis 0,3 m • Fertigungseinrichtungen Aufbau und Lieferumfang • HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und   Thermostatierung • Carrie • Gasversorgungssystem • Prozess-Vakuumsystem, Substrat-Heizstation (optional) Wesentliche Merkmale und Funktionsweise • Integrierbar in Vakuumkammer mit oder ohne Heizung,   Substrathalterung face up, face down oder vertikal • Geringe Verunreinigung der Reaktionsgase im Reaktor und der   Vakuumkammer • Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe   Leistungsdichten • Reaktionsraumbegrenzung mittels Zwischenrezipient • Elektrodenausführung in Al • Plasmachemische Reaktorreinigung


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