Reaktor mit Heliumkopplung

Anwendung• PECVD von Silizium-Legierungen bei Temperaturen bis 600 °C auf Wafer oder Carrier mit Durchmesser bis 150 mm• Thermisch aktivierte PECVDAufbau• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und Thermostatierung• Gasversorgungssystem (optional)Wesentliche Merkmale und Funktionsweise• Integrierbar in Vakuumkammer mit Substratelektrode, Face up- Prozess- mode• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe Leistungsdichten• Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung• Definierte EntladungsraumbegrenzungTechnische DatenElektrodendurchmesserbis Ø 150 mm Leistungsversorgung13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz,600 W Substratelektroden-Oberflächentemperaturbis 600 °C Elektrodenabstandmanuell einstellbar 15 - 40 mm Arbeitsdruck0,05 - 5 mbar Prozessgase SiH4Dotantenhydride, H2 u.a.

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